Лаб работы зависимости материалов от температуры исследованием-
Лаб работы зависимости материалов от температуры исследованием - Экспериментальное исследование зависимости сопротивления металлов от температуры
Лаб работы зависимости материалов от температуры исследованием-1 ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ
Лаб работы зависимости материалов от температуры исследованием-Рассеяние на колебаниях решетки. При рассеянии на тепловых колебаниях эффективное сечение рассеяния определяется площадью сечения области, которую занимает колеблющейся атом.

Температурные зависимости подвижности носителей заряда в образцах с разным уровнем легирования Эксперимент Оборудование Термокаметра, исследуемый образец, источник напряжения, вольтметры, потенциометр, реостат. Измерение удельной электропроводности производится зондовым методом по этому сообщению компенсационной схеме. При этом исключается влияние переходных сопротивлений, возникающих при соприкосновении образца с токоподводящими электродами. Образец исследуемого материала изготавливается в виде бруска прямоугольного сечения, площадь которого известна.

Образец укрепляется в зажиме, который имеет также два зонда рис. Расстояние между зондами точно измеряется.
Лаб работы зависимости материалов от температуры исследованием-Исследование температурной зависимости электропроводности твердых диэлектриков
Схема лабораторной установки. При прохождении постоянного тока как между зондами на образце, так и на эталонном резисторе происходит падение напряжения, которое можно очень точно измерить без потребления мощности в цепи при помощи потенциометра постоянного тока. Расположить уравнения на диаграмме таким образом, чтобы они не перекрывали ряды данных. Линейное уравнение и линию тренда выделить синим цветом, квадратичное уравнение и линию тренда выделить красным цветом. Для форматирования уравнений выделить уравнение и использовать контекстное меню Формат подписи линии тренда.
Установить экспоненциальный формат чисел с тремя десятичными знаками.

Проверка адекватности полученных моделей. Ввести заголовки столбцов жирным шрифтом, скопировать справочную таблицу данных и рассчитать количество экспериментальных точек n, среднее значение Ycp, квадраты отклонений экспериментальных значений от среднего и дисперсию относительно среднего значения. В следующих столбцах ввести заголовки «Линейная модель» и «Квадратичная модель». Над заголовками столбцов ввести названия коэффициентов моделей. Значения коэффициентов моделей взять из уравнений, полученных при помощи линий тренда.

Рассчитать значения теплоемкости вещества, используя абсолютные ссылки на введенные коэффициенты. Температурная зависимость концентрации электронов в полупроводнике n-типа Как видно из рис.
Лаб работы зависимости материалов от температуры исследованием-Экспериментальное исследование зависимости сопротивления металлов от температуры
Рассмотрим физические процессы, определяющие зависимость n T. C увеличением температуры концентрация свободных электронов возрастает за счет ионизации атомов полупроводника и атомов примеси. Но для ионизации атома полупроводника требуется сообщить электрону энергию, не меньшую Eg, поэтому в рассматриваемой области низких температур собственная концентрация носителей заряда пренебрежимо мала. В полупроводнике n-типа имеется донорная примесь, дающая по этому сообщению запрещенной зоне энергетический уровень ED.

А у меня уже есть давно!!!
Очень неплохо!
Блеск
Я думаю, что Вы допускаете ошибку. Пишите мне в PM, поговорим.
Спасибо, думаю что это многим