ЗАВИСИМОСТЬ СИЛЫ ФОТОТОКА ОТ ПРИЛОЖЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ

Зависимость силы фототока от приложенного напряжения-Зависимость силы фототока от приложенного напряжения

Зависимость фототока от напряжения. Меняя величину и знак анодного напряжения, можно проследить, как меняется .serp-item__passage{color:#} Если напряжение отрицательно и велико по модулю, то фототок отсутствует. Это легко понять: электрическое поле, действующее на электроны со стороны катода и. Один из электродов (катод K) через кварцевое окошко освещался монохроматическим светом некоторой длины волны λ. При неизменном световом потоке снималась зависимость силы фототока I от приложенного напряжения. На рис. изображены. Зависимость силы фототока от приложенного напряжения.  . Из формулы видно, что оно не зависит от интенсивности падающего света. После глубоких исследований стало ясно, что при возрастании запирающего потенциала происходит линейное увеличение частоты света. ν.. Рисунок.

Зависимость силы фототока от приложенного напряжения - Фотоэффект.

Зависимость силы фототока от приложенного напряжения-Внешний фотоэффект Внешний фотоэлектрический эффект — это явление эмиссии электронов из металла под воздействием падающего страница излучения.

Зависимость силы фототока от приложенного напряжения

Механизм явления заключается в том, что фотоны излучения зависимость силы фототока от приложенного напряжения свою энергию электронам, что приводит к их эмиссии за пределы металла. Максимальная кинетическая энергия электрона равна энергии фотона минус работа выхода. Работа выхода — это энергия связи электрона в металле, обычно порядка нескольких электрон-вольт. Более подробное объяснение. Когда фотоны попадают в металл или полупроводник, они передают свою энергию электронам. Часть энергии необходима для того, чтобы освободить электроны от атомной связи и позволить им уйти с поверхности металла работа выхода WA. Это взаимодействие называется внешним фотоэлектрическим эффектом. Остаточная энергия служит для ускорения электронов.

Работа выхода вот ссылка металлов обычно составляет несколько эВ. Альберт Эйнштейн изучил внешний фотоэлектрический эффект с помощью квантования света. Таким образом, внешний фотоэлектрический эффект представляет собой важную веху https://narcologika.ru/lechenie-alkogolizma-v-narkologicheskom-tsentre/lechenie-ot-alkogolnoy-zavisimosti-v-tomske.php развитии квантовой механики.

Внутренний фотоэффект Внутренний фотоэлектрический эффект также основан на передаче энергии фотонов электронам. Однако они не покидают материал, в котором находятся, а изменяют электронную оболочку в атоме.

Зависимость силы фототока от приложенного напряжения

Это может привести к изменению проводимости материала и, следовательно, протеканию электрического тока. Внутренний читать больше возникает в полупроводниках — материалах, электропроводность которых меньше, чем у проводников, и больше, чем у изоляторов. Чтобы лучше понять его механизм, давайте вспомним зонную теорию проводимости.

Зависимость силы фототока от приложенного напряжения

Электронные энергетические уровни в полупроводниках относятся к двум группам — валентной зоне и зоне проводимости. Эти зоны энергетически разделены возбужденной областью.

Зависимость силы фототока от приложенного напряжения-Фотоэффект. Фотоны

Электроны с энергией в валентной зоне связаны зависимость силы фототока от приложенного напряжения атомах и не участвуют в протекании электрического тока. Электроны с энергией, принадлежащей зоне проводимости, свободны и могут двигаться под действием приложенного напряжения, то есть проводить электрический ток. Изменение энергии электрона от энергии валентной зоны до энергии зоны проводимости при поглощении энергии фотона электромагнитного излучения называется внутренним фотоэлектрическим эффектом. В результате полоса проводимости обогащается свободным носителем отрицательного заряда — электроном, а валентная зона обогащается электронной дыркой, то есть вакансией, оставленной электроном, которая также участвует в протекании электрического тока.

Это увеличивает проводимость материала. Ширина запрещённой зоны относится к разности энергий между валентной зоной и зоной проводимости.

Зависимость силы фототока от приложенного напряжения-Виды фотоэффекта

Полупроводник, состоящий из одного чистого материала, называется собственным полупроводником. В таких материалах жмите сюда отрицательных носителей заряда в зоне проводимости — электронов — равно числу положительных зарядов в валентной зоне — дырок. На практике, по ссылке, часто используются легированные полупроводники, то есть обогащенные небольшим количеством другого материала.

В зависимости от типа легирующего элемента различают зависимость силы фототока от приложенного напряжения типа полупроводников: n-типа и p-типа. В полупроводнике p-типа преобладают дырки. Важно помнить, что речь идет только о носителях заряда, участвующих в проведении электричества, весь кристалл электрически нейтрален. Внутренний фотоэффект также имеет место в солнечных батареях. Когда свет попадает на пограничный слой солнечного элемента очень тонкая область на поверхности с электрическим полемэлектроны высвобождаются из кристаллической связи и движутся в электрическом поле. Этот электрический ток может быть воспринят потребителем и вызывает фотонапряжение. Это называется фотоионизацией и наблюдается, например, с помощью рентгеновских лучей.

Зависимость силы фототока от приложенного напряжения

Для молекулярного фотоэлектрического эффекта требуется гораздо более посетить страницу свет, поскольку электроны прочно связаны в атомах. Используя формулу для кинетической энергии, мы определяем скорость освобожденных электронов по формуле: Методы обнаружения фотоэффекта Далее мы покажем вам два метода обнаружения фотоэлектрического эффекта и, следовательно, выхода электронов. Метод встречного поля В методе встречного поля металлический катод облучается монохроматическим светом с частотой f.

Без приложенного напряжения можно обнаружить фототок. Если приложить противодействующее напряжение UG так, чтобы катод был заряжен положительно, а анод — отрицательно, то электроны, высвобождаемые внешним фотоэлектрическим эффектом, замедляются.

Зависимость силы фототока от приложенного напряжения

Встречное поле полностью компенсирует кинетическую энергию электронов. Из этой зависимости мы можем определить скорость электронов. Метод встречного поля также дает нам возможность определить постоянную Https://narcologika.ru/lechenie-alkogolizma-v-narkologicheskom-tsentre/kak-bistro-razvivaetsya-nikotinovaya-zavisimost.php h. Если стержень отрицательно заряжен в результате трения, то он имеет избыток электронов. Имеем: Таким образом, величина задерживающего напряжения позволяет определить максимальную кинетическую энергию фотоэлектронов.

При небольшом превышении задерживающего напряжения появляется слабый фототок. Его формируют электроны, вылетевшие с максимальной кинетической энергией почти точно вдоль оси колбы то зависимость силы фототока от приложенного напряжения почти перпендикулярно катоду : теперь электронам хватает этой энергии, чтобы добраться до анода с ненулевой скоростью и замкнуть цепь. Остальные электроны, которые имеют меньшие скорости или полетели в сторону от анода, на анод не попадают. При повышении напряжения фототок увеличивается. Перейти на источник каждого вещества существует так называемая красная граница фотоэффекта, https://narcologika.ru/lechenie-alkogolizma-v-narkologicheskom-tsentre/klinika-alkogolizma-oslozhnennogo-deliriyami-referat.php. Все эти закономерности фотоэффекта в корне противоречили представлениям классической физики о взаимодействии света с веществом.

Зависимость силы фототока от приложенного напряжения-Зависимость фототока от напряжения — Студопедия

Согласно волновым представлениям при взаимодействии с электромагнитной световой волной электрон должен был бы постепенно накапливать энергию, и потребовалось бы значительное время, зависящее от интенсивности света, чтобы электрон накопил достаточно энергии для того, чтобы вылететь из катода. Как показывают расчеты, это время должно было бы исчисляться минутами зависимость силы фототока от приложенного напряжения часами. Однако, вкусно! наркологический стационар нарколог мед талантливы показывает, что фотоэлектроны появляются немедленно после начала освещения катода.

В этой модели также было невозможно понять существование красной границы фотоэффекта. Волновая теория света не могла объяснить независимость энергии фотоэлектронов от интенсивности светового потока и пропорциональность максимальной кинетической энергии частоте света.

7 thoughts on “ЗАВИСИМОСТЬ СИЛЫ ФОТОТОКА ОТ ПРИЛОЖЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ

  1. Могу порекомендовать зайти на сайт, на котором есть много информации по этому вопросу.

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *